EGY48 Yeast strain/Competent cells酵母菌株/感受態(tài)細(xì)胞 BioVector NTCC質(zhì)粒載體菌種細(xì)胞基因保藏中心
- 價 格:¥39865
- 貨 號:BioVector's EGY48 Competent Cells
- 產(chǎn) 地:北京
- BioVector NTCC典型培養(yǎng)物保藏中心
- 聯(lián)系人:Dr.Xu, Biovector NTCC Inc.
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EGY48 Yeast strain/Competent cells酵母菌株/感受態(tài)細(xì)胞
LexA 系統(tǒng)酵母雙雜實驗用菌株。產(chǎn)品規(guī)格:BioVector's EGY48 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個月)BioVector's pGBKT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個月)Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個月)PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個月)基因型MATα, ura3, his3, trp1, LexAop (x6)-LEU2產(chǎn)品說明BioVector's EGY48菌株是BioVector NTCC Inc.開發(fā)的LexA系統(tǒng)酵母雙雜實驗用菌株,MATα型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)粒進(jìn)行蛋白互作驗證或篩庫試驗;Transformation marker為:his3,trp1,ura3,報告基因為:LEU2;報告基因UAS (上游激活序列)來源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時才能啟動 LEU2表達(dá)。BioVector's EGY48-LexA酵母雙雜系統(tǒng)系統(tǒng)需要三種質(zhì)粒配套使用:BioVector's pLexA、BioVector's pB42AD、BioVector's p8op-LacZ。質(zhì)粒pLexA的篩選標(biāo)志為HIS3,用于表達(dá)DNA-BD(來自原核的202個氨基酸殘基組成的LexA蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Bait)的融合蛋白;質(zhì)粒pB42AD的篩選標(biāo)志為TRP1,用于表達(dá)AD(來自皰疹病毒的88個氨基酸殘基組成的B42AD蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Prey)的融合蛋白;報告質(zhì)粒p8op-LacZ的篩選標(biāo)志為URA3,報告基因為LacZ,報告基因UAS來源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時才能啟動 LacZ表達(dá)。EGY48感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pGBKT7質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。操作方法1. 取100 μl冰上融化的BioVector's EGY48感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5ug,Carrier DNA(95-100度5min,快速冰浴,重復(fù)一次)10 ul ,PEG/LiAc 500ul并吸打幾次混勻,30度水浴30 分鐘(15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。2. 將管放42度水浴15min (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。 3. 5000 rpm 離心 40s 棄上清,ddH2O 400ul 重懸,離心 30s 棄上清。 4. ddH2O 50ul重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96h。注意事項1. 感受態(tài)細(xì)胞最好在冰上融化。2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。3. 同時轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時可增加質(zhì)粒的用量。4. BioVector's EGY48酵母菌株對高溫敏感,最適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。5. 菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長中一個常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。
Supplier來源:BioVector NTCC Inc.
TEL電話:400-800-2947
Website網(wǎng)址: http://www.nedfriskphoto.com
LexA 系統(tǒng)酵母雙雜實驗用菌株。產(chǎn)品規(guī)格:BioVector's EGY48 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個月)BioVector's pGBKT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個月)Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個月)PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個月)基因型MATα, ura3, his3, trp1, LexAop (x6)-LEU2產(chǎn)品說明BioVector's EGY48菌株是BioVector NTCC Inc.開發(fā)的LexA系統(tǒng)酵母雙雜實驗用菌株,MATα型,可直接轉(zhuǎn)化質(zhì)粒進(jìn)行蛋白互作驗證或篩庫試驗;Transformation marker為:his3,trp1,ura3,報告基因為:LEU2;報告基因UAS (上游激活序列)來源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時才能啟動 LEU2表達(dá)。BioVector's EGY48-LexA酵母雙雜系統(tǒng)系統(tǒng)需要三種質(zhì)粒配套使用:BioVector's pLexA、BioVector's pB42AD、BioVector's p8op-LacZ。質(zhì)粒pLexA的篩選標(biāo)志為HIS3,用于表達(dá)DNA-BD(來自原核的202個氨基酸殘基組成的LexA蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Bait)的融合蛋白;質(zhì)粒pB42AD的篩選標(biāo)志為TRP1,用于表達(dá)AD(來自皰疹病毒的88個氨基酸殘基組成的B42AD蛋白)與目標(biāo)蛋白 (Prey)的融合蛋白;報告質(zhì)粒p8op-LacZ的篩選標(biāo)志為URA3,報告基因為LacZ,報告基因UAS來源于LexA op(x6),只有當(dāng) Bait和 Prey互作時才能啟動 LacZ表達(dá)。EGY48感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pGBKT7質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。操作方法1. 取100 μl冰上融化的BioVector's EGY48感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒2-5ug,Carrier DNA(95-100度5min,快速冰浴,重復(fù)一次)10 ul ,PEG/LiAc 500ul并吸打幾次混勻,30度水浴30 分鐘(15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。2. 將管放42度水浴15min (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。 3. 5000 rpm 離心 40s 棄上清,ddH2O 400ul 重懸,離心 30s 棄上清。 4. ddH2O 50ul重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96h。注意事項1. 感受態(tài)細(xì)胞最好在冰上融化。2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。3. 同時轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時可增加質(zhì)粒的用量。4. BioVector's EGY48酵母菌株對高溫敏感,最適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。5. 菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長中一個常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克??;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。
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